卓上型 真空・プロセスガス 高速アニール炉

トップローディング方式、真空プロセス高速加熱炉（モデルVPO）は、小型でリーズナブルな装置をお探しのお客様のために設計されました。この装置は多目的ウエハー表面処理の他、ペーストの焼結や有機膜形成など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。

有効加熱エリアは300x300x50mmですが、オプションのVPO-EHを装備することでチャンバー内の高さを、標準の50mmから120mmに変更することができ、Φ60mmの、正面観察窓を装備することができます。また、到達温度1000℃(オプションで1200℃まで)に対応し、最高40K/sec.以上の高速昇温を実現します。自動ローダー/アンローダーなどと組み合わせると、生産ラインにも組み込んでお使いいただくことが可能になります。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ（MFC）ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス（概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの）を接続してご利用いただくことができます。合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラ でのガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、0.1Pa（10-3 mbar）(HVオプションで10-6 hPaまで）までの真空度に耐えることができますので、接続する真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大のポイントは、IR（赤外）ヒーターによる最大40K/sec.以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御されます。タッチパネル式コントローラ（SPS Controller）には、最大50セグメント（行）のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。

フロントローディング方式、真空プロセス高速加熱炉（モデルRTP）は、小型でリーズナブルな装置をお探しのお客様のために設計されました。この装置は多目的ウエハー表面処理の他、ペーストの焼結や有機膜形成など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。

有効加熱エリアは156 x 156 x 40 mmですが、オプションのアダプタを利用することで、Φ100 mm、Φ75 mmのウエハーに対応することができます。また、156 x 156および182 x 182のソーラーウェハー用石英トレイもあります。

更に、ダブルチャンバーオプションを装備することで、2枚のウエハーを同時に処理することができます。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ（MFC）ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス（概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの）を接続してご利用 いただくことができます。合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラ でのガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、 0.1 Pa（10-3 hPa）（HVオプションで10-6 hPaまで）までの真空度に耐えることができますので、接続する 真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大の ポイントは、IR （赤外）ヒーターによる最大75 K/sec.(オプションで最大150K/秒）以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御されます。タッチパネル式コントローラ（SPS Controller）には、最大50セグメント（行）のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。

高速昇温/降温に対応

高速赤外（IR）ヒーターを装備し、最大毎分12000℃以上（毎秒200K/秒）の高速昇温を行うことができます。もちろん、プロファイルプログラムの指示値による任意の昇温速度で昇温させることも可能です。また降温プロセスでは、冷却用窒素ガスをチャンバー内に供給することで、処理後のデバイス表面にダメージを与えることなく、安全に冷却を行うことができます。

多彩なガスパージ環境に対応

最大4系統のMFC（マスフローコントローラ）を装備できますので、真空環境や大気環境のほか、任意のプロセスガスパージ環境でアニーリングを行うことができます。プロファイルプログラムに、各種ガス系統のON/OFF制御だけでなく、その流量も登録できますので、様々な環境を簡単に再現することができます。

簡単温度プロファイル設定

7インチタッチパネルを標準搭載。別途外部PCを必要とせず、タッチパネル上で任意の制御プロファイルプログラムの作成、保存が可能です。 最大50ステップの温度制御プログラムを、50プログラム登録、実行することができます。また、USBメモリーへの実験データ保存機能を標準搭載。 USBメモリー経由で、任意のPCに実験データを移動することも簡単です。

フロントローディング方式

チャンバーの開閉は、手動のフロントローディング方式です。ウエハをトレイに載せた後、トレイを奥にスライドさせてからレバーをロック位置に移動させます。

フロントローディング方式、真空プロセス高速加熱炉（モデルRTP）は、小型でリーズナブルな装置をお探しのお客様のために設計されました。この装置は多目的ウエハー表面処理の他、ペーストの焼結や有機膜形成など、様々なアプリケーションにも柔軟に対応します。

有効加熱エリアは100x100x18mmですが、オプションのアダプタを利用することで、Φ50mm、Φ75mmのウエハーに対応することができます。

プログラムで自由にガス流量を設定できるマスフローコントローラ（MFC）ガスラインが1ライン標準で装備されていますので、窒素ガスや水素と窒素の混合ガス（概ね、水素の混合量が5%未満程度までのもの）を接続してご利用いただくことができます。合計4系統のガスモジュールを追加することができ、同様にマスフローコントローラ でのガス流量制御が可能です。

チャンバー筐体は、0.1Pa（10-3mbar）（HV 最大10-6 hPa）までの真空度に耐えることができますので、接続する真空ポンプを適切に選定することで、高真空環境にも対応させることができます。また、本装置最大のポイントは、IR（赤外）ヒーターによる最大70K/sec.以上の高速昇温速度に対応できることです。

プロファイルプログラムは、新たに採用されたタッチパネル式コントローラによって正確に制御されます。タッチパネル式コントローラ（SPS Controller）には、最大50セグメント（行）のプログラムを50通り登録しておくことができますので、希望のプロセスプログラムを簡単な操作によって呼び出し、実行できます。プログラム作成の他、実行したプロセスの各種データをCSV形式で保存することもできますので、外部PCに頼ることなく、本体のみですべての操作を完結することが可能です。